| 型号： | BST62,115 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | NXP Semiconductors | 描述： | TRANSISTOR DARL PNP SOT89 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| BST62,115 PDF |  |
| 特色产品 | NXP - I2C Interface |
| 标准包装 | 1,000 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 1.3V @ 500µA，500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 50nA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 2000 @ 500mA，10V |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 频率 - 转换 | 200MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 供应商设备封装 | SOT-89-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | 568-6972-2 933644300115 BST62 T/R BST62 T/R-ND BST62,115-ND |